
Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)—Part 1: Fast bias-temperature instability test for MOSFETs
NORMA vydána dne 30.4.2026
Označení normy: GB/T 45716.1-2026
Datum vydání normy: 30.4.2026
Země: Čínská technická norma
Kategorie: Technické normy GB