GB/T 14863-2013

Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

NORMA vydána dne 31.12.2013

Anglicky a čínsky -
Elektronické PDF (14705.20 CZK)

Informace o normě:

Označení normy: GB/T 14863-2013
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 31.12.2013
Země: Čínská technická norma
Kategorie: Technické normy GB