
Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
NORMA vydána dne 30.12.1993
Označení normy: GB/T 14863-1993
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 30.12.1993
Země: Čínská technická norma
Kategorie: Technické normy GB