Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
NORMA vydána dne 10.1.2011
Označení normy: GB/T 14847-2010
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 10.1.2011
Země: Čínská technická norma
Kategorie: Technické normy GB