
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
NORMA vydána dne 24.12.1993
Označení normy: GB/T 14847-1993
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 24.12.1993
Země: Čínská technická norma
Kategorie: Technické normy GB