
Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS103
NORMA vydána dne 1.1.1988
Označení normy: GB 9502-1988
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 1.1.1988
Země: Čínská technická norma
Kategorie: Technické normy GB