GB 10275-1988

Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS1191

NORMA vydána dne 1.1.1988

Anglicky a čínsky -
Elektronické PDF (9036.50 CZK)

Anglicky a čínsky -

Tištěné (9036.50 CZK)

Informace o normě:

Označení normy: GB 10275-1988
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 1.1.1988
Země: Čínská technická norma
Kategorie: Technické normy GB