ASTM F996-98(2003)

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

NORMA vydána dne 10.5.1998

Anglicky -
PDF - okamžité stažení (1739.30 CZK)

Anglicky -

Tištěné (1739.30 CZK)

Informace o normě:

Označení normy: ASTM F996-98(2003)
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 10.5.1998
Počet stran: 7
Přibližná hmotnost: 21 g (0.05 liber)
Země: Americká technická norma
Kategorie: Technické normy ASTM

Anotace textu normy ASTM F996-98(2003) :

Keywords:
c/v characteristics, current-voltage characteristics, interface states, ionizing radiation, MOSFET, oxide-trapped holes, threshold voltage shift, trapped holes