ASTM F996-98

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

NORMA vydána dne 10.5.1998

Anglicky -
PDF - okamžité stažení (1736.10 CZK)

Anglicky -

Tištěné (1736.10 CZK)

Informace o normě:

Označení normy: ASTM F996-98
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 10.5.1998
Počet stran: 6
Přibližná hmotnost: 18 g (0.04 liber)
Země: Americká technická norma
Kategorie: Technické normy ASTM

Anotace textu normy ASTM F996-98 :

Keywords:
Current measurement-semiconductors, Electrical conductors-semiconductors, Gate and field oxides, Ionizing radiation, MOSFETs, Radiation exposure-electronic components/devices, Silicon-semiconductor applications, Threshold voltage, separating a total-dose induced mosfet threshold voltage shift into, ICS Number Code 31.080.30 (Transistors)