ASTM F996-11(2018)

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics (Withdrawn 2023)

NORMA vydána dne 1.3.2018

Anglicky -
Elektronické PDF (1790.30 CZK)

Anglicky -

Tištěné (1790.30 CZK)

Informace o normě:

Označení normy: ASTM F996-11(2018)
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 1.3.2018
Počet stran: 7
Přibližná hmotnost: 21 g (0.05 liber)
Země: Americká technická norma
Kategorie: Technické normy ASTM

Anotace textu normy ASTM F996-11(2018) :

Keywords:
c/v characteristics, current-voltage characteristics, interface states, ionizing radiation, MOSFET, oxide-trapped holes, threshold voltage shift, trapped holes,, ICS Number Code 31.080.30 (Transistors)