ASTM F978-90(1996)e1

Standard Test Method for Characterizing Semiconductor Deep Levels by Transient Capacitance Techniques (Includes all amendments And changes 3/2/2021).

NORMA vydána dne 10.1.2001

Anglicky -
PDF - okamžité stažení (1742.80 CZK)

Anglicky -

Tištěné (1742.80 CZK)

Informace o normě:

Označení normy: ASTM F978-90(1996)e1
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 10.1.2001
Počet stran: 8
Přibližná hmotnost: 24 g (0.05 liber)
Země: Americká technická norma
Kategorie: Technické normy ASTM

Anotace textu normy ASTM F978-90(1996)e1 :

Keywords:
activation energy, deep levels, DLTS, semiconductor silicon, trap density, transient capacitance, ICS Number Code 29.045 (Semiconducting materials)