Standard Test Method for Characterizing Semiconductor Deep Levels by Transient Capacitance Techniques (Withdrawn 2003)
NORMA vydána dne 10.1.2001
Označení normy: ASTM F978-02
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 10.1.2001
Počet stran: 8
Přibližná hmotnost: 24 g (0.05 liber)
Země: Americká technická norma
Kategorie: Technické normy ASTM
Keywords:
activation energy, deep levels, DLTS, semiconductor silicon, trap density, transient capacitance, ICS Number Code 29.045 (Semiconducting materials)