ASTM F95-89(2000)

Standard Test Method for Thickness of Lightly Doped Silicon Epitaxial Layers on Heavily Doped Silicon Substrates Using an Infrared Dispersive Spectrophotometer (Withdrawn 2003)

NORMA vydána dne 1.1.2000

Anglicky -
PDF - okamžité stažení (1736.10 CZK)

Anglicky -

Tištěné (1736.10 CZK)

Informace o normě:

Označení normy: ASTM F95-89(2000)
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 1.1.2000
Počet stran: 7
Přibližná hmotnost: 21 g (0.05 liber)
Země: Americká technická norma
Kategorie: Technické normy ASTM

Anotace textu normy ASTM F95-89(2000) :

Keywords:
epi, epi thickness, epitaxial layer, FTIR, index of refraction, IR, layer thickness, spectrophotometer, ICS Number Code 29.045 (Semiconducting materials)