
Standard Test Method for Characterization of Metal-Oxide-Silicon (MOS) Structures by Capacitance-Voltage Measurements (Withdrawn 2003)
NORMA vydána dne 15.5.1992
Označení normy: ASTM F1153-92(2002)
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 15.5.1992
Počet stran: 7
Přibližná hmotnost: 21 g (0.05 liber)
Země: Americká technická norma
Kategorie: Technické normy ASTM
Keywords:
capacitance-voltage, carrier concentration, fixed charge density, flatband capacitance, flatband voltage, metal-oxide-silicon structures, mobile ionic charge, MOS structures, silicon, ICS Number Code 31.060.01 (Capacitors in general)