Test Method for Resistivity of Silicon Epitaxial Layers by the Three-Probe Voltage Breakdown Method (Includes all amendments And changes 8/13/2021).
NORMA vydána dne 1.1.1988
Označení normy: ASTM F108-88e1
Poznámka: NEPLATNÁ
Datum vydání normy: 1.1.1988
Počet stran: 6
Přibližná hmotnost: 18 g (0.04 liber)
Země: Americká technická norma
Kategorie: Technické normy ASTM